در حالی که تصور می‌شد کاستن از ابعاد فعلی ترانزیستورها غیرممکن شده، محققان روش جدیدی برای این کار ابداع کرده اند.
پژوهشگران شرکت آی بی ام می گویند شیوه تازه ای را برای ساخت ترانزیستورها با استفاده از طراحی رشته های موازی نانوتیوب های کربنی یافته اند.
در قالب این روش جدید سیم های فلزی فوق باریک به نانوتیوب ها یالوله های بسیار کوچک با ابعاد نانو متصل می شوند و از این طریق می توان پهنای سیم های مورد استفاده در ترانزیستورها را بدون افزایش مقاومت الکتریکی کاهش داد.
یکی از چالش های همیشگی تراشه سازان مقاومت الکتریکی و افزایش گرما در صورت کوچک شدن سیم های مورد استفاده در ترانزیستورهاست و این محدودیت باعث کاسته شدن از سرعت تراشه های دارای ترانزیستور شده است.
اما با این اختراع جدید می توان نقطه تماس بین دو ماده را در حد پهنایی به اندازه 40 اتم کاهش داد. پیش بینی می شود این پهنا تا سه سال آینده به 28 اتم کاهش یابد.
با کاهش مقاومت الکتریکی علاوه بر کاستن از ابعاد ترانزیستورها می توان بر برخی محدودیت های فیزیکی دیگر هم غلبه کرد، سرعت پردازنده های رایانه ای را بیشتر کرد و به پیشرفت های مهم دیگری در حوزه فناوری اطلاعات دست یافت.
منبع: فارس