ساخت حافظه‌‌های فلش پرظرفیت برای گوشی‌‌ هوشمند

طراحی حافظه‌های جدید فلاش 256 گیگابیتی از نوع NAND توسط سامسونگ آغاز شده است. این حافظه ها دارای 48 لایه سه بیتی در سطوح مختلف هستند.

با افزایش چگالی این حافظه ها می توان ظرفیتشان را در آینده بیشتر کرد. علاوه بر سامسونگ، توشیبا، سن دیسک، اینتل و میکرون هم در تلاش برای طراحی حافظه های جدید NAND هستند و همگی قصد دارند این حافظه ها را با قیمت های رقابتی عرضه نمایند.

سامسونگ چندی قبل تراشه‌های دو ترابایتی را برای گوشی های هوشمند روانه بازار کرد و امیدوار است فناوری جدید ساخت این تراشه ها را با هزینه کمتر و ابعاد مناسب ممکن کند.

این تراشه ها از خانواده 3D NAND و موسوم به 3D V-NAND هستند و داده ها در آنها به طور عمودی و به جای 32 لایه در 48 لایه ذخیره می شوند. لایه های حافظه های مذکور از طریق 1.8 میلیارد حفره ارتباطی با یکدیگر در ارتباطند و در نهایت 85.3 میلیارد سلول وظیفه ذخیره سازی 256 میلیارد بیت اطلاعات را بر عهده دارند. به بیان دیگر 256 گیگابیت داده بر روی تراشه ای به اندازه سر انگشت ذخیره می شوند.

استفاده از این فرایند 48 لایه موجب کاهش 30 درصدی مصرف برق در مقایسه با تراشه های 32 لایه ای می شود. همچنین بهره وری این تراشه ها 40 درصد بیشتر است.

منبع: فارس